TFS 200

设备

用于原子层沉积科研的TFS 200薄膜系统

TFS 200是适合科学研究和企业研发的最灵活的ALD平台。设备的每个细节都充分考虑了多功能，模块化和易用性。TFS 200可以让用户能够自由的进行各种工艺和应用研发而不被设备所限制。

等离子体，颗粒型和高深宽比ALD

直接和远程等离子体沉积(PEALD)可以作为TFS 200的标准选项。等离子体是工业化标准的电容性耦合等离子体(CCP)。由ALD NanoSolutions, Inc和倍耐克公司联合研发的颗粒型ALD是首台用于颗粒型ALD研究的商用ALD系统。TFS 200不仅可以在平面物体上镀膜，而且还适用于粉末，颗粒，疏松多孔的基体材料，或是有较高深宽比的复杂的三维物体。客户可以根据基底材料的不同选择三种标准的反应腔体，也可以按照自己的需要定制腔体。

TFS200拥有令人印象深刻的处理多种前驱体的能力。最多8路气态源，4路液态源和4路热源可以满足最苛刻的科研要求。热源选项可以使热源加热到500°C.

性能特点

Down to 100 nm particle coating in fluidized bed reactor option
用于等离子体ALD（PEALD）的直接和远程电容性耦合等离子体选项
循环周期小于2秒。在特定的条件下可以小于1秒(对200mm 晶圆的AI₂O₃ 膜而言薄膜厚度均匀性小于±1%)
高深宽比(HAR)选项适用于较深沟槽和多孔的基底材料
多种热源选择，作为标准选项热源可以加热到500°C
基体材料可以加热到1000°C的选项
高速数据记录采集和人机交互界面（HMI）
可以快速加热和冷却的冷壁真空腔
安装在真空腔的辅助接口可以实现等离子体和在线诊断
热壁反应腔可以使基底温度均匀分布，同时避免了前驱物的凝结和二次反应
三种不同的反应腔，而且可以根据客户的需要定制
基底旋转选项
手动传送臂可以快速更换基底材料，而且可以和其他设备配合使用
可在洁净室环境下使用

技术规格

基底材料温度	25 - 500 °C
反应腔类型和尺寸	- 单硅片: ø200 × 3 (mm) - 单硅片等离子源: ø200 × 3 (mm) - 三维物体/批量硅片: ø200 × 95 (mm) - 反应腔定制: 应客户的要求
气体管道	最多8 路
液体源(+5 °C 至室温)	最多4 路
热源 HS 300 (室温至 300 °C)	最多4 路
热源 HS 500 (室温至 500 °C)	最多2 路
等离子体选项(PEALD)	- 功率: 300 瓦 - 类型:电容性耦合等离子体(CCP)
流体床颗粒镀膜选项 (Particle ALD)	- 颗粒尺寸(最小)¹: 100 nm - 1 µm - 粉末量(最大): 50 - 75 cm³ - 温度(最高)²: 450 °C
控制系统	PLC 控制器和PC 用户界面
ALD系统主要尺寸 (长 × 宽 × 高)	1325 × 600 × 1298 (mm)
电气柜主要尺寸(长 × 宽 × 高)	1000 × 300 × 1600 (mm)