用于CIGS电池的缓冲层

倍耐克公司用于CIGS太阳能电池的ALD缓冲层

铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池被认为是最具有发展前景的太阳能电池之一。原子层沉积(ALD)技术可以将CIGS太阳能电池的转换效率提高至少1%，这是通过沉积致密和高保形性的Zn(O,S)缓冲层来实现的。
 

使用原子层沉积(ALD)技术可以消除工艺流程中唯一的液态沉积过程化学浴沉积(CBD),这样整个生产流程可以得到简化从而显著的降低成本。倍耐克公司的TFS 1200薄膜系统是为CIGS的在线缓冲层沉积而设计的。它能以每小时12块面板和每年100,000 m²速度为1200 × 1200 (mm)的面板镀膜，这相当于每年12 MWp 的生产能力。在离线生产模式下产量可以翻倍。

增加太阳能电池效率

倍耐克公司利用原子层沉积(ALD)技术制作的高带宽和高透过率缓冲层，可以代替传统的硫化镉(CdS)缓冲层，而且电池效率可以至少提高1%。通过使用ALD技术，可以调节和优化CIGS电池缓冲层中氧和硫(O/S)的比例。ALD薄膜固有的高保形性和无针孔的特性可以提高CIGS电池中的针孔隔离性能。

适合于工业化生产

ALD技术为CIGS电池生产商提供了生产无镉缓冲层电池的技术方案，更环保而且降低了工厂安全要求。ALD技术是干法工艺，无毒液、毒气排出，不需要过多水处理措施，所以不需要水净化设备。芬兰Beneq公司的ALD设备可以与现有CIGS电池产线其他真空工艺无缝对接，基底在大气中的暴露时间可以忽略。

倍耐克公司TFS 1200 ALD薄膜系统

倍耐克公司的TFS 1200是一个ALD工艺单元，可以与CIGS蒸镀或快速热处理硒化生产线对接。30纳米的Zn(O,S)缓冲层沉积时间不到5分钟。ALD工艺更紧凑，而且比传统的化学浴(CBD)制作CdS缓冲层工艺成本更低。

更多关于TFS 1200的信息可以在TFS 1200设备网页找到

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